IRL3102STRR【PDF 8/9 页】MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

4页 5页 6页 7页 [8页]9页

IRL3102S

Tape & Reel Information

D 2 Pak

TR R

1 .6 0 (.0 6 3 )

1 .5 0 (.0 5 9 )

F E E D D IR E C TIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )

4 .1 0 (.1 6 1 )

3 .9 0 (.1 5 3 )

1 .6 0 (.0 6 3 )

1 .5 0 (.0 5 9 )

1 1 .6 0 (.4 5 7 )

0 .3 6 8 (.0 1 4 5 )

0 .3 4 2 (.0 1 3 5 )

1 .6 5 (.0 6 5 )

1 1 .4 0 (.4 4 9 )

1 5 .4 2 (.6 0 9 )

1 5 .2 2 (.6 0 1 )

2 4 .3 0 (.9 5 7 )

2 3 .9 0 (.9 4 1 )

TR L

1 .7 5 (.0 6 9 )

1 0 .9 0 (.4 2 9 )

1 0 .7 0 (.4 2 1 )

1 .2 5 (.0 4 9 )

1 6 .1 0 (.6 3 4 )

4 .7 2 (.1 3 6 )

4 .5 2 (.1 7 8 )

1 5 .9 0 (.6 2 6 )

F E E D D IR E C T IO N

N O TES :

330.00

(14.173)

M A X.

1 3.5 0 (.5 32 )

1 2.8 0 (.5 04 )

2 7.4 0 (1 .07 9)

2 3.9 0 (.9 41 )

4

6 0.0 0 (2 .3 6 2)

M IN .

3 0.4 0 (1 .1 97 )

MAX.

1. C O M F O R M S T O E IA -41 8 .

2. C O N T R O L LIN G D IM E N S IO N : M ILL IM E T E R .

3. D IM E N S IO N M E A S U R E D @ H U B .

4. IN C L U D E S F L A N G E D IS T O R T IO N @ O U T E R E D G E .

26 .40 (1.039)

24 .40 (.961)

3

4

WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331

EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020

IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897

IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590

IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111

IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086

IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371

http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 9/97

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

*

*

*

相关PDF资料

IRL3103D1SPBF MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5

IRL3103D1STRLP MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

IRL3103D1STRL MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

IRL3103D1 MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

IRL3103STRR MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

IRL3202STRR MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK

IRL3215 MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB

IRL3302STRLPBF MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

相关代理商/技术参数

IRL3103 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220

IRL3103D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1SPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1STRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件